近年来，DRAM、NAND Flash、Nor Flash已发展成为全球主流存储器，但随着这些传统存储器微缩制程已逼近极限，加上存储技术发展进步以及终端需求的变化，新型存储器亦越来越受到市场关注，有的新型存储器正在迅速发展壮大，市场成长速度喜人。
今年5月，集邦咨询旗下半导体研究中心（DRAMeXchange）报告指出，不论是DRAM或NAND Flash，现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限，这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。DRAMeXchange认为，次世代存储器（新型存储器）与现有解决方案各有优劣，最关键的机会点仍是在于价格。展望未来，需求陆续回温与价格弹性所带动的库存回补动能，可望带动2020年的现有存储器价格止跌反弹，让次世代存储器解决方案有机会打入市场。
目前市场上有哪些常见的新型存储器呢？下面将来盘点一下——
PRAM
PRAM（相变存储器），也有人称PCM（Phase Change Memory），据悉该存储器技术是一种三明治结构，中间是相变层（和光盘材料一样，GST），这种材料的一个特性是会在晶化（低阻态）和非晶化（高阻态）之间转变，即利用这个高低阻态的变化来实现存储。与传统存储技术相比，PRAM拥有读写速度快、耐用性强、非挥发性等，读取速度和写入次数均优于领先于NAND Flash。
MRAM
MRAM（磁性存储器）是一种非易失性存储器。据悉，MRAM技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力，具有闪存的非易失性，容量密度及使用寿命不输DRAM，但平均能耗远低于DRAM，且基本上可无限次地重复写入。
MRAM曾获得多家产业巨头的青睐，摩托罗拉的半导体部门、IBM、英飞凌、赛普拉斯、瑞萨、三星电子、SK海力士、美光等均曾陆续投入研发MRAM的行列。目前，MRAM技术已在向第二代发展，主流研究在于TAS-MRAM和STT-MRAM，STT-MRAM被视为是可以挑战DRAM和SRAM的高性能存储器，Everspin、三星电子、IBM、Grandis等企业均已涉足。
FRAM
FRAM（铁电存储器）学术名为FeRAM，业界一般称其为FRAM，是一种非易失性存储器。采用铁电材料(PZT等)的铁电性和铁电效应来进行非易失性数据存储的存储器。FRAM具有ROM（只读存储器）和RAM（随机存取器）的特点，在高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面具有优势。据了解，FRAM技术早于1921年被提出，1993年美国Ramtron公司成功开发出第一个4K位的铁电存储器FRAM产品，FRAM存储器逐渐开始商业化，主要供应商包括Ramtrom、TI、富士通等。富士通曾为Ramtrom进行单体存储器的量产晶圆代工，2020年双方终止合作，富士通开始独自开发FRAM并竭力推广。
ReRAM
ReRAM（阻变存储器）是一种非易失性存储器，通过向金属氧化物薄膜施加脉冲电压，产生大的电阻差值来存储“0”和“1”。?其结构非常简单，两侧电极将金属氧化物包夹于中间，简化了制造工艺，同时可实现低功耗和高速重写等性能，比较适合可穿戴设备和小型医疗设备市场。
NRAM
NRAM（碳纳米管存储器）是基于碳纳米管的非易失性存储器，该技术由美国公司Nantero开发，并授权于富士通为NRAM的首个商业合作伙伴，富士通从Nantero购买了IP，取得了NRAM的设计、生产和销售许可。据介绍，NRAM规格类似或接近于FRAM，存储密度远高于FRAM，读写速度接近于DRAM，比NAND Flash快100倍，拥有多于Flash 1000倍以上的读写次数，存储信息能保持
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