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SK海力士将投资9500亿韩元扩大无锡DRAM芯片产能

2016/12/24

为抢占移动与数据存储需求不断成长的先机,韩国大厂SK海力士周四宣布,将于韩国和中国投资3.16万亿韩元(约27亿美


元),扩大存储器芯片产能。



仅次于三星电子的全球第二大存储器芯片厂SK海力士表示,将投入2.2万亿韩元在韩国打造一座新的NAND快闪存储器芯片


厂,并投资9500亿韩元在现有的中国无锡厂扩大DRAM芯片产能。



因智能手机制造商争相提升产品的处理与存储效能,近几季来存储器芯片价格已大幅反弹。移动设备、电脑和服务器所使用的


态硬盘(SSD)等此类高端数据存储产品市场快速成长,亦为SK海力士优于市场预期的第三季获利带来助益。

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