中国闪存市场峰会（CFMS2018）当天来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储、紫光存储、谷歌、慧荣、群联等存储产业大咖聚首，一起探讨3D NAND技术发展、存储产业市场新契机、存储产品创新应用。同时，除了演讲企业参展，紫光存储、京东、点序也携全系列存储产品展出。

全球半导体存储芯片生产制造多集中于美国、日本、韩国，中国在存储器产业也在积极的发展。目前，中国已经是全球存储产业中成长速度最为强劲的市场。2018年全球半导体市场规模达到1500亿美元，其中NAND Flash将超过570亿美元，而中国消耗了全球产能的32%，长江存储、合肥长鑫、福建清华等代表企业分工发展，将从根本上解决中国在存储器芯片长期、高度、依赖海外的现状。

存储器产生变化

长江存储推出了Xtacking架构，正式开启了3D NAND潜能释放之路。长江存储CEO杨士宁在2018中国闪存市场峰会上表示，2015年长江存储与美国合作伙伴签订了联合研发协议，开始真正大规模投入3D NAND研发。从最开始的9层、32层测试芯片，到32层的产品，再到64层产品试片，长江存储已经获得了一定的积累以及客户的肯定。

目前全球主要的3D NAND生产厂商包括三星、东芝、西部数据、美光以及中国长江存储，这些厂商每一次的调整，对行业来说都具有深远影响。2018年新一轮投产即将开始，为了填补前几年提升技术所导致的产能空缺，多个厂商选择加大3D NAND投产力度，积极应对不断增长的市场需求。

3D NAND的市场供应即将进一步增加，中国闪存市场总经理邰炜在2018中国闪存市场峰会上表示，目前3DNAND量产的主要厂商为三星、东芝、西部数据、美光以及SK  hymix，其中，三星的3D NAND占其总产量的85%，西部数据、东芝的3D NAND占其总产量的75%，美光的3D NAND占其总产量的90%，SK  hymix的3D NAND占其总产量的60%。“这样以后，我们可以得到更大性能、更高存储的产品。” 邰炜说。

除了在产能上的提升，技术上3D NAND也有所改变。2018年上半年，各大厂商均以64层产品为主，下半年有部分技术先进的厂商转为了96层或者64层QLC。“3D NAND的生产工艺，每一次提升都使得存储产品容量提升，目前NAND从2D极限容量128Gb上升到现在64层512Gb，过渡技术成熟以后，96层512Gb也将有机会量产到1Tb。值得一提，QLC4b相较于TLC3b容量更大，所以，即使采用64层QLC，1T的产品也会得到量产。这个技术生产会导致智能手机很快迈入TB时代。” 邰炜说。

新势能成为发展驱动

是什么驱动着存储器的变化？5G、云技术、人工智能、自动驾驶无一不需要数据中心，所以对于总体的存储需求将会大大的增加，以满足这些应用的需求。“数据中心行业中的内存是TB级，这是一个很重要的推动因素，除此之外，人工智能也将对存储器产生重要的推动力量。” 三星大中华区首席技术官裵容徹在2018中国闪存市场峰会上说。

从最开始的电脑、移动手机上的存储，到如今的数据时代，服务器一直都是存储器的一个重要市场。作为存储器最大的一个市场，服务器市场的增长具有着非常强的推动作用。裵容徹认为，2019年至2023年，内存增加将成为一种趋势，为了迎接这个趋势，相应技术也会进行升级。在这一波浪潮中，中国的市场份额不容忽视。“我们看到的市场需求数字，手机端，中国市场份额大概是50%。服务器领域，中国市场份额虽然比美国市场小一些，但是也占到总市场的1/4。到2022年，服务器市场在中国的比例将会增长30%。根据我们公司预测的数据，服务器业务、服务器市场在中国将会极高速的增长，甚至将会高于我们的预期。” 裵容徹说。

除了服务器，手机也一直是存储器的一个重要市场。虽然手机市场在缩水，但是对于嵌入式存储产品来说，手机市场的重要性依旧不可忽视。邰炜预计，2018年全球智能手机出货量将达到14.6亿部，高端手机从2013年存储容量6G、16G上升到512G，到2018年全球智能手机也达到628G，部分智能型手机也逐步向USF发展，“未来5G市场推动下，相信存储市场会迎来新一轮高增长点。” 邰炜说。

面对挑战依旧存在

人工智能的发展迫使存储器不得不面对越来越越多的数据，不仅在容量上是相对较大的挑战，在成本上，存储器厂商也需要衡量。2016年、2017年连续涨价的市场走势导致2018年的价格已经开始下滑。“2018年现在价格已经下滑超过40%，后续随着技术提升和产能增加，这个价格还会进一步下滑。” 邰炜说。

“我们现在需要存储的数据越来越多，主要原因是我们可以把存储做的很便宜，如果存储很贵的话，可能我们也不需要存那么多东西了。” 杨士宁说。

在低成本成为一种走势的情况下，速度也成为存储器需要解决的另一项挑战。“我们要存的数据越来越多，要求分析的速度也越来越快，我们发现闪存架构还是存在着一些缺陷。” 杨士宁表示，受到电路功率的影响，存储器周边速度越来越难以提升。据记者了解，传统的3D  NAND周边电路受到热力影响和硬力影响，三极管的提升速度受限制，但是如果要解决这个问题，周边电路密度会越来越大，真正存储的增长空间就会有限。杨士宁表示，虽然现在存储的堆叠层次越来越高，但是周边面积不断增长，真正存储密度增长会减少。

除此之外，周边产品占据很大面积，需要一些技术手段提升存储密度，而且，存储的工艺流程越来越越长，产品进入市场进行售卖的时间会更长。“那对整个市场竞争力就会有负面影响。” 杨士宁说