三星掀起3D NAND战火 企业用SSD明年3D NAND占比上看70%
2016/5/16三星电子(Samsung Electronics)独霸许久的3D NAND Flash市场,随着美光(Micron)、SK海力士(SK Hynix)、英特尔(Intel)等竞争业者投入,2017年企业用固态硬盘(SSD)中3D NAND占比将上看70%。
据韩媒Money Today报导,SSD逐渐取代硬盘(HDD),成为个人计算机(PC)与服务器的标准配备,3D NAND市场更是快速扩大。日前市调机构IHS公布调查,指出2016年SSD产品中,企业用3D NAND推估数量达40%,并将以2017年68%、2018年77%及2019年88%的比例急速成长。
2015年市占率不过10%的3D NAND,预料在数年之间就会成为市场主流。反观2015年市占率高达62%的多阶储存单元(MLC),2017年预估市占率仅剩下5%,似乎正逐渐为SSD市场所淘汰。
消费者用产品市场的趋势也差不多,2015年3D NAND 市占率只有3%,预期2016年将激增到18%、2017年36%、2018年60%,正快速占领市场。
3D NAND是将数据储存单元垂直堆栈的尖端产品,提升速度、耐久性与生产效率的同时又能降低耗电量。三星在2013年8月率先全球量产,目前已经发展到第三代48层堆栈产品,处于独霸市场的状态。不少竞争业者的3D NAND在2016年研发完成并投入量产,这也意味着NAND Flash市场即将以3D NAND为中心点燃战火。
SK海力士将从第2季开始供应第二代36层架构的1TB级SSD,第三代产品也预定在下半年完成;东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)与美光等也陆续开始量产3D NAND,计划在年底前将技术提升到第三代。
英特尔也首度进军3D NAND市场,第一款3D NAND SSD产品与美光合作生产,预定自2016年下半起将在大陆大连厂自行生产。英特尔投资55亿美元,正在将大连厂的系统半导体生产线转换为NAND Flash内存的生产设备。
至于三星自2013年起每年推出新一代的V-NAND产品,2015年从SSD市场笑纳54亿美元营收,成为压倒性的第一名,38%的市占率比第二到五名的英特尔、新帝、美光与东芝加起来还高。三星也将在短期内量产第四代V-NAND,以便与后进业者拉开差距。