深圳云储科技有限公司

NEWS

行业新闻

HOME > NEWS > 行业新闻

事在人为，实现中国存储器梦 2019/12/13

中国半导体业正进入一个新时期，在大基金等国有资金为主推动下，加上科创板的支持，产业正全方位向前推进，其中实现更多的IC国产化是“命门”，显然存储器成为一个让业界十分期待的目标。

为了实现存储器的国产化，国内已经启动合肥长鑫及福建晋华的DRAM，以及武汉长江存储的3D NAND闪存生产，另有紫光的南京、成都等都已做好上马的准备。

据国内网站报导，长江存储已经开发出32层3D NAND闪存，2019年底月产能达20,000片，计划2020年开始64层3D NAND量产，月产能扩充至40,000片以上，到2023年时可能达到计划64层月产能100,000片，或者它的原计划300,000片。并在技术上进入128层256Gb的业界先进闪存产品行列。
而合肥长鑫已经开发出19纳米的DRAM，月产能达20,000片，计划2020年底月产能扩充至40,000片，到2023年时达到计划月产能125,000片，技术上开始迈入17纳米。并已有报道长鑫将再建两个fab2和fab3。

中国已经启动存储器的布局，充分体现国家的决心与实力，然而全球存储器的格局是垄断的，按学习曲线的规律，中国必须循序渐进，国内业界曾提出初始目标要占全球市场份额的5%-10%。

根据三星目前128层3D NAND技术发展，以及工厂进度规划，预计2020上半年可能量产的是第六代128层V-NAND。SK海力士128层3D NAND也将在2020年进入投产阶段。至2019年底，全球NAND闪存依92/96层计，三星占它的销售额45%，东芝为50%，美光为35%及Hynix为25%。

当今的NAND Flash设计需要综合考虑层数、存储单元间距、单元厚度、功耗、整体性能、投资效益，还有量产的良率，及市场份额等诸多要素。

DRAM制程工艺进入20nm以后，由于制造难度越来越高，内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽，而是分成了1xnm、1ynm、1znm，大体来讲，1x-nm制程相当于16~19nm、1y-nm相当于14~16nm，而1z-nm则相当于12~14nm。业界也有讨论在1znm之后的可能进展。

2019年10月7日消息，三星宣布成功开发出业界首个12层3D-TSV（直通硅通孔）技术。这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺，而此前最大仅为8层。

3D-TSV最多用在HBM显存上，这种技术通过芯片内部的打孔填充金属导电材料实现多层芯片互联，其速度更快，密度更高。三星此次公布的12层DRAM封装工艺需要在720微米厚的芯片上打超过60000个TSV孔，这些孔的尺寸仅为人头发丝的二十分之一。

全球存储器业总是周期性的起伏，也是对于存储器制造商的考验。据预测，其中33种IC产品类别中的26种将恢复增长，而增长前三类如下：2020年NAND Flash将增长19%，汽车电子13%及DRAM 12%。

5%-10%的市场份额，它表示中国存储器业(包括DRAM，NAND，NOR，新兴存储器)的销售额已经总计达到50-100亿美元以上，同时迈出中国半导体业中IDM产品的关键一步。

结语

由于中国存储器厂商几乎都是“新进者”，面临的困难可能更多。在这样的现实情况下，中国存储器制造商既要提前做出“预案”，认真对待，不丧失信心，可能最妥善的策略是把目前的工作做得更加扎实与仔细。

技术上推进是关键，是基础，然而产能扩充的步伐要大胆加快，因为至少在下个下降周期中可能占到先机，它也是无法用完全市场化策略来解释。

尽管初始目标是5%-10%的市场份额，但是它的作用不可小视，表明中国存储器业完成初步立足，开始有话语权。如果依2017年计始，估计可能要花5-10年时间，并且要准备随时迎接各种干扰的到来。

中国存储器业一定能立足下来，无非是花的时间短，或者长些，要认识到存储器业是个拼生产线管理及能持续投资的产业。中国此次存储器的突破，似乎资金不成问题，但是缺乏月产能100,000片以上大生产线的管理经验。

显然生产线的产能爬坡速度是个“坎”，它不完全是由资金决定，而是与技术能力，生产线的良率，芯片价格及外来干扰因素等相关，在思想认识上要有充分的准备。

按我的初浅认识，实现中国的存储器梦，以下两条是关键：

· 持续投资，扩大产能，降低制造成本，所以生产线应该尽可能集中；

· 沉着应对来自各方面的“干扰”，包括“长臂管辖清单”，专利及价格战。

事在人为，实现中国存储器梦是肯定有必要及可能